参数MODE的数据类型为BYTE，MODE为2是OB_NR，采用16进制数来设置。编写OB1程序如下：实验如下：进入RUN模式后，可以看到MW6的值一直为1，表明只调用了一次OB100，MB0的低3为被置1,MW2每秒加1.用鼠标模拟产生I0.1循环中断被禁止，MW2不再加1，用鼠标模拟产生I0.0，循环中断被，MW2又始加1.时间中断组织块300CPU只能使用OB10，400CPU可以使用OB10~17，可以设置在某一个特定的日期时间产生一次时间中断，也可以设置从设定日期时间始，周期性的重复产生中断，可以用SFC28~SFC30设置、取消和时间中断。

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吉林白山积压电缆当场结算正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，3A 本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜，选NMOS。)施工质量控制。按照会审后的设计图纸和相关技术文件及有关工程建设法规、文件的总体设计方案进行，严格按图纸的施工要求保质保量的进行，若发现与图纸不一致的地方，不允许私自变更，应与设计师共同探讨解决，严格推行规范化、标准化、可操作化的质量控制程序;对各个子系统的施工质量、单体设备严控把关，好各项系统和设备的测试和调试记录;对智能建筑弱电工程涉及到的外围设备和材料进行检验，凡无标志或标志不清的、对质量保证有怀疑的、与签署合同不相符材料需进行抽检，进口材料需要 商检证明和产地证明，好材料报审，经监理审核确认后方可施工。在判别出管型和基极b后，可用下列方法来判别集电极和发射极。将万用表拨在R×1K档上。用手将基极与另一管脚捏在一起（注意不要让电极直接相碰），为使测量现象明显，可将手指湿润一下，将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上，黑表笔接另一管脚，注意观察万用表指针向右摆动的幅度。然后将两个管脚对调，重复上述测量步骤。比较两次测量中表针向右摆动的幅度，找出摆动幅度大的一次。对PNP型三极管，则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上，重复上述实验，找出表针摆动幅度大的一次，对于NPN型，黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。我们通过选择合适的电路元件参数，使其发射结正偏、集电结反偏（Uc＞Ub＞0），那么该电路就工作在放大状态，输入、输出电流满足ic=βib关系，也即集电极电流是基极电流的β倍。设输入为一正弦交流小信号u1（注意是小信号，也即在±0.7v内，如果超过了这个范围会出现饱和失真、截止失真问题），其大小和方向均周期性变化，平均值为零；经过电容C1的耦合后其与原直流偏置电压Ube叠加后变成了脉动直流信号u2，也即u2的波形和u1一样，但u2均为正值即u2＞0，u2的平均电压不在为零，这样的目的是因为发射结导通有一个死区电压，必须抬升电压后才能保证完整的信号输入，否则信号会被削去大部分，造成了严重的失真。