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A500、F500、F700系列变频器PU端口：E500、S500系列变频器PU端口：.三菱变频器的设置PLC和变频器之间进行通讯，通讯规格必须在变频器的初始化中设定，如果没有进行初始设定或有一个错误的设定，数据将不能进行传输。注：每次参数初始化设定完以后，需要复位变频器。如果改变与通讯相关的参数后，变频器没有复位，通讯将不能进行。参数号名称设定值说明Pr.117站号0设定变频器站号为0Pr.118通讯速率96设定波特率为9600bpsPr.119停止位长/数据位长11设定停止位2位，数据位7位Pr.120奇偶校验有/无2设定为偶校验Pr.121通讯再试次数9999即使发生通讯错误，变频器也不停止Pr.122通讯校验时间间隔9999通讯校验终止Pr.123等待时间设定9999用通讯数据设定Pr.124CR，LF有/无选择0选择无CR，LF对于122号参数一定要设成9999，否则当通讯结束以后且通讯校验互锁时间到时变频器会产生报并且停止。

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（ /）光伏板废电缆辽宁沈阳变频器输入侧功率因数低，是因为线路中存在高次谐波造成的。在电流的有功分量相等的情况下，相位角越大，无功电流就越大，这样铜损越大。1变频器输入侧功率因素低，主要原因是电路中存在高次谐波电流，增加补偿电容，在电网容量较低时，更容易出现电压的脉动，有可能损坏补偿电容。1单就改变功率因素来讲，直流电抗器优于交流电抗器。但是交流电抗器可以削弱冲击电流。（直流电抗器用在直流侧，目的是将直流电流中的交流部分稳定在某范围内，使直流部分连续，减少直流脉动。当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。以上只是基本原理，具体实现，还有考虑待测电流的大小，把它分成不同的档位，同时考及过流保护，具体实用 0m10A等档位，不同档位所串联的采样电阻值不相同，原则是小电流档位采样电阻值大，大电流档位采样电阻值小。采样电阻的大小会对待测电路的电流产生一定的影响，实际使用要估算电流的大小，选取适合的档位才能减小测量的误差。考虑到使用者可能会接错档位，发生过流烧毁采样电阻，设计中加入了二极管D1和D2和采样电阻并联，采样电阻电流过大时，电压升高，当电压高压二极管导通电压时，二极管导通分流采样电阻的电流，防止电流过大烧毁采样电阻。我的想法是适当在元件内画一些内容，比如集电极路输出，但重要的是保持整个原理图清晰有条理，人们看起来容易理解。好了，就剩 一个模拟工程师的了。在大学里，JohnKuras经常玩笑说功率晶体管应该用粗一点的线画得大一点。当时我们都嗤之以鼻，但现在我确实喜欢用更大的符号显示TO-3巨型封装的晶体管()。成为模拟工程师就得接受重要性原则，而更大的晶体管更重要，而且画起来更容易。：每个人都可以看出来，右边的晶体管是一个功率晶体管。