模块化编程实例我们使用AT89C52单片机，在编程软件keil环境下实施一个工程，来说明模块化编程具体操作的方法和步骤。例子要实现的功能：和P1相连的8个LED灯每500ms亮灭交替闪烁，通过串口将数字0-9发送给单片机并显示在一个数码管上。LED闪烁的时间使用定时器0中断方式来控制，T0每50ms溢出产生中断，定义一个计数器，每次T0中断就计数一次，累计计数10次，那么时长为500ms，作为LED闪烁时间间隔。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

光伏电缆积压电缆四川自贡
绿色光电线缆无无污染版CPR法规相对于CPD来说，由各成员国直接采用;针对协调标准的宣告和CE认证是强制的;ER3扩展至包括建造阶段、拆毁和更宽泛的环境;性能稳定性评估和验证系统;CPR本身包括了简化程序;新法律框架下的链的责任;运用欧盟评估文件的技术评估;需要机构NB的认可和技术评估机构的特别要求;成员国产品的;联络窗口;条纹更加明晰。纠正措施：电缆操作者，帮工以及其他操作人员需要了解电缆内部软铜绞线及橡胶材料的属性。对产品性能及局限性出鉴别，减小机械损伤还有很长的路要走。当电缆被弯曲且其弯曲半径远小于商的弯曲半径时，电缆内部元件容易形成机械损伤。当拖拽电缆时，应避免拧结。

星三角启动，属降压启动，是以牺牲功率为代价来换取降低启动电流来实现的。所以不能一概而轮，以电机功率的大小来确定是否需采用星三角启动，还的看是什么样的负载，一般在需要启动时负载轻，运行时负载重尚可采用星三角启动，一般情况下鼠笼型电机的启动电流是运行电流的5—7倍，而对电网的电压要求一般是正负10%。为了不形成对电网电压过大的冲击所以要采用星三角启动，一般要求在鼠笼型电机的功率超过变压器额定功率的10%时就要采用星三角启动。为了方便接线，生产厂家往往使用统一标准的接线板将电动机绕组线引出，如下图三所示，U1U2，V1V2分别为工作绕组和启动绕组，C为外接电容器，K为电动机内部的离心关。电动机启动后，当转速达到80％时左右时，K断，切除V1V2，工作绕组拖动负载运行。（图三）电机正转时，用连接片将U1与V1连接在一起，U2与Z2连接在一起。U1端接电源相线，U2端接电源你零线。如下图：（图四）电机反转时，用连接片将U1与Z2连接在一起，U2与V1连接在一起，U1端接电源相线，U2接电源零线。39种电子元器件检验要求与方法电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）主称材料分类序号电阻器的分类：线绕电阻器薄膜电阻器：碳膜电阻器、碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器实心电阻器敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。电阻器阻值标示方法：直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。电容器容量标示：直标法：用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。文字符号法：用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.色标法：用色环或色点表示电容器的主要参数。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。